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IGP03N120H2 数据手册 Datasheet - Infineon

  • 制造商:
    Infineon
  • 分类:
    IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
  • 封装:
    TO-263-3
  • 描述:
    Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3Pin
  • 文档:
更新时间: 2024/05/17 12:52:49 (UTC+8)
IGP03N120H2 数据手册PDF (13 页)
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IGP03N120H2 文档

IGP03N120H2 数据手册
Infineon
13 页, 342 KB

IGP03N120 数据手册PDF

IGP03N120H2
数据手册
Infineon
Insulated Gate Bipolar Transistor, 9.6A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TO-220, 3Pin
IGP03N120H2XKSA1
数据手册
Infineon
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 9.6A 62500mW 3Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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