HGTG18N120BND 数据手册 Datasheet - Harris

制造商：
Harris
描述：
Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
文档：

HGTG18N120BND 数据手册 (11 页) Hot

封装外形尺寸在 9页

型号规则信息在 2页 11页

更新时间： 2024/05/29 03:17:36 (UTC+8)

HGTG18N120BND 数据手册PDF (11 页)

点击页面查看数据手册详情

点击重新加载修复错误页面>

HGTG18N120BND 文档

HGTG18N120BND 数据手册

Harris

11 页, 368 KB

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 54A 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Intersil

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Fairchild

54A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 54A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Rail

Harris

Insulated Gate Bipolar Transistor, 18A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

Datasheet 搜索

搜索

百芯智造数据库涵盖1亿多个元件的数据手册，每天更新超过5,000个PDF文件。

热门搜索