HGTG10N120BND 数据手册 Datasheet - Harris

制造商：
Harris
描述：
Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247
文档：

HGTG10N120BND 其它数据手册 (10 页) Hot

更新时间： 2024/04/04 04:28:26 (UTC+8)

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HGTG10N120BND 其它数据手册

Harris

10 页, 231 KB

Fairchild

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Rail

ON Semiconductor

Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube

Intersil

35A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Fairchild

IGBT 1200V 35A 298W TO247

Fairchild

IGBT Transistors 35A 1200V N-Ch

Harris

Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247

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