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TS27M2CDT 库存 & 价格

ST Microelectronics **2xOP 1MHz 0.6V/µs SO8 _SMD **
18.67
TS27M2CDT
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TS27M2CDT ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    TS27M2CDT
  • 百芯编号#:
    CM40259873
  • 价格(CNY):
    18.67
  • 百芯库存:
    201
  • 可供应量:
    162 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    运算,放大器
  • 产品描述:
    **2xOP 1MHz 0.6V/µs SO8 _SMD **
  • 文档: 3D模型
TS27M2CDT 购买 TS27M2CDT 库存和价格更新于 2025-06-14 03:50:22
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    器件型号: TS27M2CDT
    百芯编号: CM40259873
    制造商: ST Microelectronics
    封装: SOIC-8
    价格
    18.67
    总计: 363
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/19 (预期 )
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    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    运算,放大器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    SOIC-8
    输出电流
    45mA @10V
    供电电流
    150 µA
    电路数
    2 Circuit
    通道数
    2 Channel
    针脚数
    8 Position
    共模抑制比
    65 dB
    带宽
    1 MHz
    转换速率
    600 mV/μs
    增益频宽积
    1 MHz
    输入补偿电压
    1.1 mV
    输入偏置电流
    1 pA
    输入电压(Max)
    16 V
    输入电压(Min)
    3 V
    工作温度(Max)
    70 ℃
    工作温度(Min)
    0 ℃
    增益带宽
    1 MHz
    共模抑制比(Min)
    65 dB
    电源电压
    3V ~ 16V
    电源电压(Max)
    16 V
    电源电压(Min)
    3 V
    输入电压
    3V ~ 16V
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    5 mm
    宽度
    4 mm
    高度
    1.5 mm
    工作温度
    0℃ ~ 70℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • Description
    • The TS27x2 series are low-cost and low-power dual operational amplifiers designed to operate with high-voltage single or dual supplies. These operational amplifiers use the ST silicon gate CMOS process, providing an excellent consumption-speed ratio thanks to three different power consumptions, making them ideal for low consumption applications:
    • ICC = 10 µA/amp: TS27L2 (very low power), ICC = 150 µA/amp: TS27M2 (low power) and ICC = 1 mA/amp: TS272 (high speed)
    • The devices also offer a very high input impedance and extremely low input currents. Their main advantage compared to JFET devices is the very low input current drift with temperature (Figure 3).
    • Features
    • ■ Wide supply voltage range: 3 to 16 V
    • ■ Ultra-low consumption: 150 µA/op typ
    • ■ Output voltage swing to ground
    • ■ Excellent phase margin on capacitive load
    • ■ Gain bandwidth product: 1 MHz typ
    • ■ Vio down to 2 mV max. (B version)

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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
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      - 电气测试
      - 外观检测
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      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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