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STW20NM60 库存 & 价格

ST Microelectronics TO-247 N-CH 600V 20A
￥ 33.44
STW20NM60
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STW20NM60 ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    STW20NM60
  • 百芯编号#:
    CM1143546
  • 价格(CNY):
    ￥
    33.44
  • 百芯库存:
    613 个
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    325 个在库
    此为供应商库存，需要与销售确认
  • 产品类别:
    中高压,MOS管
  • 产品描述:
    TO-247 N-CH 600V 20A
  • 文档:
    数据手册
    3D模型
STW20NM60 购买 STW20NM60 库存和价格更新于 2025-05-31 03:50:22
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    器件型号: STW20NM60
    百芯编号: CM1143546
    制造商: ST Microelectronics
    封装: TO-247-3
    价格
    ￥
    33.44
    总计: 938 个
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/05 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    中高压,MOS管
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-247-3
    额定电压(DC)
    650 V
    额定电流
    20.0 A
    通道数
    1 Channel
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    0.25 Ω
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    192 W
    阈值电压
    4 V
    漏源极电压(Vds)
    600 V
    漏源击穿电压
    600 V
    栅源击穿电压
    ±30.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    20.0 A
    上升时间
    20 ns
    输入电容(Ciss)
    1500pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    192 W
    下降时间
    11 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -65 ℃
    耗散功率(Max)
    192W (Tc)
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    STW20NM60 数据规格书
    STW20NM60 数据手册Datasheet
    18 Pages, 438 KB
    2005/10/20
    查看
    STW20NM60 数据手册Datasheet
    18 Pages, 445 KB
    2005/10/20
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    STW20NM60 数据手册Datasheet
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    2012/03/28
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    STW20NM60 数据手册Datasheet
    8 Pages, 347 KB
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    STW20NM60 其它数据手册Datasheet
    19 Pages, 423 KB
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    STW20NM60 其它数据手册Datasheet
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    STW20NM60 产品修订记录
    30 Pages, 325 KB
    2019/04/08
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    STW20NM60 产品修订记录
    3 Pages, 114 KB
    2019/04/08
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    STW20NM60 其他参考文件
    1 Pages, 133 KB
    2011/06/15
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    工作温度
    150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    STW20NM60 数据手册 >
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    STW20NM60 数据手册 >
    产品概述
    • The STW20NM60 is a 600V N-channel Power MOSFET developed using revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the PowerMESH™ horizontal layout. This MOSFET offers extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing proprietary strip technique, MOSFET boasts an overall dynamic performance which is superior. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today"s challenging efficiency requirements.
    • High dv/dt and avalanche capabilities
    • 100% Avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
    STW20NM60 数据手册 >

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      - 开盖检查
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      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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