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STP16NK60Z 库存 & 价格

ST Microelectronics TO-220 N-CH 600V 14A
￥ 17.98
STP16NK60Z
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STP16NK60Z ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    STP16NK60Z
  • 百芯编号#:
    CM77547837
  • 价格(CNY):
    ￥
    17.98
  • 百芯库存:
    290 个
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    192 个在库
    此为供应商库存，需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    TO-220 N-CH 600V 14A
  • 文档:
    数据手册
    3D模型
STP16NK60Z 购买 STP16NK60Z 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: STP16NK60Z
    百芯编号: CM77547837
    制造商: ST Microelectronics
    封装: TO-220-3
    价格
    ￥
    17.98
    总计: 482 个
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/11 (预期 )
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    STP16NK60Z 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-220-3
    额定电压(DC)
    600 V
    额定电流
    14.0 A
    通道数
    1 Channel
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    420 mΩ
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    190 W
    阈值电压
    3.75 V
    漏源极电压(Vds)
    600 V
    漏源击穿电压
    600 V
    栅源击穿电压
    ±30.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    14.0 A
    上升时间
    25 ns
    输入电容(Ciss)
    2650pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    190 W
    下降时间
    15 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    55 ℃
    耗散功率(Max)
    190W (Tc)
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    STP16NK60Z 数据规格书
    STP16NK60Z 数据手册Datasheet
    15 Pages, 744 KB
    2005/10/20
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    STP16NK60Z 数据手册Datasheet
    15 Pages, 744 KB
    2005/10/20
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    STP16NK60Z 数据手册Datasheet
    15 Pages, 748 KB
    2005/10/20
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    STP16NK60Z 数据手册Datasheet
    16 Pages, 731 KB
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    STP16NK60Z 数据手册Datasheet
    15 Pages, 754 KB
    2012/03/28
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    STP16NK60Z 数据手册Datasheet
    19 Pages, 621 KB
    2005/10/20
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    STP16NK60Z 数据手册Datasheet
    12 Pages, 339 KB
    2005/09/06
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    STP16NK60Z 其它数据手册Datasheet
    20 Pages, 2663 KB
    2004/04/26
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    STP16NK60Z 其它数据手册Datasheet
    16 Pages, 492 KB
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    STP16NK60Z 产品修订记录
    4 Pages, 15 KB
    2013/01/29
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    STP16NK60Z 其他参考文件
    1 Pages, 133 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    10.4 mm
    宽度
    4.6 mm
    高度
    15.75 mm
    工作温度
    150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Not Recommended for New Designs
    包装方式
    Tube
    STP16NK60Z 数据手册 >
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    STP16NK60Z 数据手册 >
    产品概述
    • The STP16NK60Z is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The new SuperMESH™ Power MOSFETS is the result of further design improvements on ST"s well-established strip based PowerMESH™ layout. In addition to significantly lower ON-resistance, the device offers superior dV/dt capability to ensure optimal performance even in the most demanding applications. The SuperMESH™ device further complements an already broad range of innovative high voltage MOSFETs, which includes the revolutionary MDmesh™ products.
    • 100% Avalanche tested
    • Very low intrinsic capacitance
    STP16NK60Z 数据手册 >

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    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC)，800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库，恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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