Name: STN1HNK60
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM1260604
Price: 0.86 USD
Availability: InStock

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STN1HNK60 ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STN1HNK60
百芯编号#:
CM1260604
价格(CNY):
￥

0.86
百芯库存:
10,784 个
库存地点: 香港
可供应量:
8,616 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
N-CHANNEL 600V - 8Ω - 1A DPAK/IPAK/TO-92/SOT-223 SUPERMESH MOSFET
文档:
数据手册
3D模型

STN1HNK60 购买 STN1HNK60 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: STN1HNK60

百芯编号: CM1260604

制造商: ST Microelectronics

封装: TO-261-4

价格
￥

0.86

总计: 19,400 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

ST Microelectronics

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-261-4

额定电压(DC)

600 V

额定电流

400 mA

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

8 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

3.3 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

连续漏极电流(Ids)

500 mA

上升时间

5 ns

输入电容(Ciss)

156pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

3.3 W

下降时间

25 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.3W (Tc)

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STN1HNK60 数据规格书

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STN1HNK60 其他参考文件

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

6.5 mm

宽度

3.5 mm

高度

1.8 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

STN1HNK60 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

STN1HNK60 数据手册 >

产品概述

The STN1HNK60 is a 600V N-channel SuperMESH™ MOSFET with extreme optimization of well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to pushing on-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dv/dt capability for the most demanding applications. Improved gate charge and lower power dissipation to meet today"s challenging efficiency requirements.
Extremely high dv/dt capability
ESD improved capability
100% Avalanche tested
New high voltage benchmark
Gate charge minimized
ESD sensitive device, take proper precaution while handling the device.

STN1HNK60 数据手册 >

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