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STGW19NC60WD 库存 & 价格

ST Microelectronics Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 125000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
￥ 20.06
STGW19NC60WD
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STGW19NC60WD ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    STGW19NC60WD
  • 百芯编号#:
    CM83603863
  • 价格(CNY):
    ￥
    20.06
  • 百芯库存:
    172 个
  • 可供应量:
    121 个在库
    此为供应商库存，需要与销售确认
  • 产品类别:
    IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
  • 产品描述:
    Trans IGBT Chip N-CH 600V 42A 125000mW 3Pin(3+Tab) TO-247 Tube
  • 文档:
    数据手册
    3D模型
STGW19NC60WD 购买 STGW19NC60WD 库存和价格更新于 2025-06-05 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: STGW19NC60WD
    百芯编号: CM83603863
    制造商: ST Microelectronics
    封装: TO-247-3
    价格
    ￥
    20.06
    总计: 293 个
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/10 (预期 )
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    STGW19NC60WD 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
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    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-247-3
    针脚数
    3 Position
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    125 W
    上升时间
    7 ns
    击穿电压(集电极-发射极)
    600 V
    反向恢复时间
    31 ns
    额定功率(Max)
    125 W
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    125 W
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    STGW19NC60WD 数据规格书
    STGW19NC60WD 数据手册Datasheet
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    2006/07/11
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    2020/12/03
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    15.75 mm
    宽度
    5.15 mm
    高度
    20.15 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Not Recommended for New Designs
    包装方式
    Tube
    STGW19NC60WD 数据手册 >
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    STGW19NC60WD 数据手册 >
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    STGW19NC60WD 数据手册 >
    产品概述
    • Use the STGW19NC60WD IGBT transistor from STMicroelectronics as an electronic switch. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 125000 mW. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
    STGW19NC60WD 数据手册 >

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