Name: STGE50NC60WD
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM57679710
Price: 163.8 USD
Availability: InStock

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STGE50NC60WD ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STGE50NC60WD
百芯编号#:
CM57679710
价格(CNY):
￥

163.80
百芯库存:
227 个
库存地点: 香港
可供应量:
176 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
产品描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 260000mW 4Pin ISOTOP Tube
文档:
数据手册
3D模型

STGE50NC60WD 购买 STGE50NC60WD 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: STGE50NC60WD

百芯编号: CM57679710

制造商: ST Microelectronics

封装: SOT-227-4

价格
￥

163.80

总计: 403 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

ST Microelectronics

类别

IGBT,晶体管,绝缘栅双极型

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

针脚数

4 Position

极性

N-Channel

耗散功率

260 W

上升时间

17.0 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

输入电容(Cies)

4.7nF @25V

额定功率(Max)

260 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

260 W

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STGE50NC60WD 数据规格书

STGE50NC60WD 数据手册Datasheet

14 Pages, 287 KB

2005/10/20

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STGE50NC60WD 数据手册Datasheet

14 Pages, 290 KB

2005/10/20

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STGE50NC60WD 数据手册Datasheet

15 Pages, 276 KB

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STGE50NC60WD 数据手册Datasheet

14 Pages, 299 KB

2012/03/29

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STGE50NC60WD 其它数据手册Datasheet

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查看

STGE50NC60WD 其它数据手册Datasheet

2 Pages, 703 KB

2003/04/02

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STGE50NC60WD 产品修订记录

3 Pages, 44 KB

2018/03/01

查看

STGE50NC60WD 其他参考文件

1 Pages, 141 KB

2011/06/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

38.2 mm

宽度

25.5 mm

高度

12.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

STGE50NC60WD 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

STGE50NC60WD 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

STGE50NC60WD 数据手册 >

产品概述

The STGE50NC60WD is a N-channel ultrafast switching PowerMESH™ IGBT using the latest high voltage technology based on a patented strip layout. STMicroelectronics has designed an advanced family of IGBTs, the PowerMESH™ IGBT with outstanding performances. The suffix W identifies a family optimized for very high frequency applications. It is suitable for very high frequency inverters, HF, SMPS and PFC in both hard switching and resonant topologies.
High current capability
High frequency operation
Low CRES/CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)
Very soft ultra fast recovery anti-parallel diode

STGE50NC60WD 数据手册 >

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