Name: STGB7NC60HDT4
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM26390708
Price: 20.56 USD
Availability: InStock

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STGB7NC60HDT4 ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STGB7NC60HDT4
百芯编号#:
CM26390708
价格(CNY):
￥

20.56
百芯库存:
9,990 个
库存地点:
可供应量:
7,928 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
产品描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
文档:
数据手册
3D模型

STGB7NC60HDT4 购买 STGB7NC60HDT4 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: STGB7NC60HDT4

百芯编号: CM26390708

制造商: ST Microelectronics

封装: TO-263-3

价格
￥

20.56

总计: 17,918 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

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STGB7NC60HDT4 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

ST Microelectronics

类别

IGBT,晶体管,绝缘栅双极型

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

额定电压(DC)

600 V

额定电流

14.0 A

极性

N-Channel

耗散功率

25 W

上升时间

8.50 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

反向恢复时间

37 ns

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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STGB7NC60HDT4 数据规格书

STGB7NC60HDT4 数据手册Datasheet

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STGB7NC60HDT4 其他参考文件

1 Pages, 141 KB

2011/06/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

宽度

9.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

STGB7NC60HDT4 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

STGB7NC60HDT4 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

STGB7NC60HDT4 数据手册 >

产品概述

This powerful and secure STGB7NC60HDT4 IGBT transistor from STMicroelectronics will make sure your circuit works properly. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. Its maximum power dissipation is 80000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. It is made in a single configuration.

STGB7NC60HDT4 数据手册 >

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