Name: STD5NM60T4
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM11277465
Price: 16.02 USD
Availability: InStock

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STD5NM60T4 ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STD5NM60T4
百芯编号#:
CM11277465
价格(CNY):
￥

16.02
百芯库存:
9,770 个
库存地点:
可供应量:
7,718 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
N-CHANNEL 650V @Tjmax- 0.9Ω - 8A TO-220/TO-220FP/DPAK/IPAK MDMESH POWER MOSFET
文档:
数据手册
3D模型

STD5NM60T4 购买 STD5NM60T4 库存和价格更新于 2025-06-04 03:50:22

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器件型号: STD5NM60T4

百芯编号: CM11277465

制造商: ST Microelectronics

封装: TO-252-3

价格
￥

16.02

总计: 17,488 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/09 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

ST Microelectronics

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定电压(DC)

600 V

额定电流

5.00 A

额定功率

96 W

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

96 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

5.00 A

上升时间

10 ns

输入电容(Ciss)

400pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

96 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

55 ℃

耗散功率(Max)

96W (Tc)

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STD5NM60T4 数据规格书

STD5NM60T4 数据手册Datasheet

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18 Pages, 574 KB

2012/03/28

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STD5NM60T4 数据手册Datasheet

13 Pages, 468 KB

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STD5NM60T4 其它数据手册Datasheet

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STD5NM60T4 其它数据手册Datasheet

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STD5NM60T4 其它数据手册Datasheet

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STD5NM60T4 产品修订记录

5 Pages, 48 KB

2016/07/28

查看

STD5NM60T4 其他参考文件

1 Pages, 135 KB

2011/06/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

STD5NM60T4 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

STD5NM60T4 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

STD5NM60T4 数据手册 >

产品概述

The STD5NM60T4 is an N-channel MDmesh™ Power MOSFET has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The MDmesh™ is a new revolutionary power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company"s PowerMESH™ horizontal layout. The adoption of the company"s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition"s products.
100% Avalanche tested
High dv/dt and avalanche capabilities
Low input capacitance and gate charge
Low gate input resistance

STD5NM60T4 数据手册 >

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