Name: STD3NK60ZT4
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM12791922
Price: 2.16 USD
Availability: InStock

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STD3NK60ZT4 ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STD3NK60ZT4
百芯编号#:
CM12791922
价格(CNY):
￥

2.16
百芯库存:
70 个
库存地点: 香港
可供应量:
52 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
DPAK N-CH 600V 2.4A
文档:
数据手册
3D模型

STD3NK60ZT4 购买 STD3NK60ZT4 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: STD3NK60ZT4

百芯编号: CM12791922

制造商: ST Microelectronics

封装: TO-252-3

价格
￥

2.16

总计: 122 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

ST Microelectronics

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定电压(DC)

600 V

额定电流

2.40 A

针脚数

3 Position

漏源极电阻

3.3 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

45 W

阈值电压

3.75 V

漏源极电压(Vds)

600 V

漏源击穿电压

600 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

2.40 A

上升时间

14 ns

输入电容(Ciss)

311pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

45 W

下降时间

14 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

45W (Tc)

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STD3NK60ZT4 数据规格书

STD3NK60ZT4 数据手册Datasheet

15 Pages, 757 KB

2003/07/02

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STD3NK60ZT4 数据手册Datasheet

15 Pages, 758 KB

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STD3NK60ZT4 数据手册Datasheet

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STD3NK60ZT4 数据手册Datasheet

16 Pages, 758 KB

查看

STD3NK60ZT4 数据手册Datasheet

15 Pages, 635 KB

2012/03/28

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STD3NK60ZT4 其它数据手册Datasheet

3 Pages, 320 KB

2008/04/16

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STD3NK60ZT4 产品修订记录

5 Pages, 48 KB

2016/07/28

查看

STD3NK60ZT4 其他参考文件

1 Pages, 135 KB

2011/06/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

STD3NK60ZT4 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

STD3NK60ZT4 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

STD3NK60ZT4 数据手册 >

产品概述

The STD3NK60ZT4 is a SuperMESH™ N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and minimized gate charge. The SuperMESH™ is obtained through an extreme optimization of ST"s well established strip based PowerMESH™ layout. In addition to pushing ON-resistance significantly down, special care is taken to ensure a very good dV/dt capability for the most demanding applications. This MOSFET complements ST full range of high voltage Power MOSFETs including revolutionary MDmesh™ products.
Extremely high dV/dt capability
100% Avalanche tested
Very low intrinsic capacitance
Very good manufacturing repeatability
Ideal for off-line power supplies, adaptors and PFC

STD3NK60ZT4 数据手册 >

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