Name: STD12NF06LT4
Brand: ST Microelectronics
SKU: CM4463030
Price: 4.02 USD
Availability: InStock

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STD12NF06LT4 ST Microelectronics

制造商:
ST Microelectronics
制造商型号#:
STD12NF06LT4
百芯编号#:
CM4463030
价格(CNY):
￥

4.02
百芯库存:
2,470 个
库存地点: 香港
可供应量:
1,576 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
DPAK N-CH 60V 12A
文档:
数据手册
3D模型

STD12NF06LT4 购买 STD12NF06LT4 库存和价格更新于 2025-06-11 03:50:22

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器件型号: STD12NF06LT4

百芯编号: CM4463030

制造商: ST Microelectronics

封装: TO-252-3

价格
￥

4.02

总计: 4,046 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

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类型

描述

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制造商

ST Microelectronics

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-252-3

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

12.0 A

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.08 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

30 W

阈值电压

3 V

输入电容

350 pF

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±16.0 V

连续漏极电流(Ids)

12.0 A

上升时间

35 ns

输入电容(Ciss)

350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

30 W

下降时间

13 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

42.8W (Tc)

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STD12NF06LT4 数据规格书

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STD12NF06LT4 其它数据手册Datasheet

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STD12NF06LT4 其它数据手册Datasheet

15 Pages, 353 KB

查看

STD12NF06LT4 产品封装文件

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STD12NF06LT4 产品封装文件

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2013/02/21

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STD12NF06LT4 产品修订记录

5 Pages, 48 KB

2016/07/28

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STD12NF06LT4 其他参考文件

1 Pages, 135 KB

2011/06/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

6.6 mm

宽度

6.2 mm

高度

2.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

STD12NF06LT4 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

STD12NF06LT4 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

STD12NF06LT4 数据手册 >

产品概述

The STD12NF06LT4 is a STripFET™ II N-channel Power MOSFET specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. The device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-to-DC converters. It is used in telecom and computer applications and applications with low gate charge driving requirements.
AEC-Q101 qualified
Exceptional dV/dt capability
Low gate charge
-55 to 175°C Operating junction temperature

STD12NF06LT4 数据手册 >

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