Name: PMBF170
Brand: NXP
SKU: CM115670221
Availability: InStock

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PMBF170 NXP

制造商:
NXP
制造商型号#:
PMBF170
百芯编号#:
CM115670221
价格(CNY):
百芯库存:
288 个
库存地点:
可供应量:
174 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TO-236AB N-CH 60V 0.3A
文档:
数据手册
3D模型

PMBF170 购买 PMBF170 库存和价格更新于 2025-06-12 03:50:22

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器件型号: PMBF170

百芯编号: CM115670221

制造商: NXP

封装: TO-236

价格

总计: 462 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/17 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

NXP

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

引脚数

3 Pin

封装

TO-236

极性

N-Channel

耗散功率

830 mW

漏源极电压(Vds)

60 V

连续漏极电流(Ids)

300 mA

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PMBF170 数据规格书

PMBF170 其它数据手册Datasheet

14 Pages, 375 KB

1997/05/24

查看

PMBF170 其它数据手册Datasheet

13 Pages, 278 KB

1997/05/24

查看

PMBF170 产品目录

8 Pages, 60 KB

1998/04/02

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

产品生命周期

Unknown

PMBF170 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

PMBF170 数据手册 >

产品概述

N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor DESCRIPTION N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor in a SOT23 envelope. Designed for use as a Surface Mounted Device (SMD) in thin and thick-film circuits with applications in relay, high-speed andbline transformer drivers. FEATURES • Direct interface to C-MOS,TTL,etc. • High-speed switching • No secondary breakdown

PMBF170 数据手册 >

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