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OPA2314AIDGKR 库存 & 价格

TI TEXAS INSTRUMENTS OPA2314AIDGKR Operational Amplifier, 3MHz, 2, 1.5V/ s, 1.8V to 5.5V, 900mV to 2.75V, VSSOP, 8
17.20
OPA2314AIDGKR
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OPA2314AIDGKR TI
TI
  • 制造商:
    TI
  • 制造商型号#:
    OPA2314AIDGKR
  • 百芯编号#:
    CM3132553
  • 价格(CNY):
    17.20
  • 百芯库存:
    233
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    173 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    运算,放大器
  • 产品描述:
    TEXAS INSTRUMENTS OPA2314AIDGKR Operational Amplifier, 3MHz, 2, 1.5V/ s, 1.8V to 5.5V, 900mV to 2.75V, VSSOP, 8
  • 文档: 3D模型
OPA2314AIDGKR 购买 OPA2314AIDGKR 库存和价格更新于 2025-05-31 03:50:22
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    器件型号: OPA2314AIDGKR
    百芯编号: CM3132553
    制造商: TI
    封装: VSSOP-8
    价格
    17.20
    总计: 406
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/05 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    TI
    类别
    运算,放大器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    VSSOP-8
    供电电流
    150 µA
    电路数
    2 Circuit
    通道数
    2 Channel
    针脚数
    8 Position
    共模抑制比
    66dB ~ 80dB
    输入补偿漂移
    1.00 µV/K
    带宽
    3 MHz
    转换速率
    1.50 V/μs
    增益频宽积
    3 MHz
    过温保护
    No
    输入补偿电压
    500 µV
    输入偏置电流
    .2 pA
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    增益带宽
    3 MHz
    共模抑制比(Min)
    66 dB
    电源电压(Max)
    5.5 V
    电源电压(Min)
    1.8 V
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    OPA2314AIDGKR 数据手册Datasheet
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    2013/07/08
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    高度
    0.95 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 125℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    产品概述
    • The OPA2314AIDGKR is a dual low-power general-purpose CMOS Operational Amplifier with rail-to-rail input and output. Low quiescent current (150µA typically at 5VS) combined with a wide bandwidth of 3MHz and very low noise (14nV/√Hz at 1kHz) make this family very attractive for a variety of battery-powered applications that require a good balance between cost and performance. The low input bias current supports applications with MR source impedances. The robust design of the OPA314 devices provides ease-of-use to the circuit designer - unity-gain stability with capacitive loads of up to 300pF, an integrated RF/EMI rejection filter, no phase reversal in overdrive conditions and high electrostatic discharge (ESD) protection (4kV HBM).
    • Low noise
    • Unity-gain stable
    • Internal RF/EMI filter
    • 150µA/channel Low IQ
    • 14nV/√Hz at 1kHz Low noise
    • 0.2pA Low input bias current
    • 0.5mV Low offset voltage
    • 1µV/°C Typical offset drift
    • 80dB Typical CMRR
    • Green product and no Sb/Br

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      - 防震泡沫
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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
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      - XRF检查
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      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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