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NVD2955 库存 & 价格

ON Semiconductor DPAK-3P-CH 60V 12A 180mΩ
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NVD2955 ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • 制造商:
    ON Semiconductor
  • 制造商型号#:
    NVD2955
  • 百芯编号#:
    CM793514148
  • 价格(CNY):
  • 百芯库存:
    268
  • 可供应量:
    177 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品描述:
    DPAK-3P-CH 60V 12A 180mΩ
  • 文档: 3D模型
NVD2955 购买 NVD2955 库存和价格更新于 2025-06-15 03:50:22
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    器件型号: NVD2955
    百芯编号: CM793514148
    制造商: ON Semiconductor
    封装: DPAK-3
    价格
    总计: 445
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/20 (预期 )
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    制造商
    ON Semiconductor
    封装
    DPAK-3
    3D模型
     3D模型
    漏源极电阻
    180 mΩ
    极性
    P-CH
    耗散功率
    55 W
    阈值电压
    4 V
    漏源极电压(Vds)
    60 V
    连续漏极电流(Ids)
    12A
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    NVD2955 数据规格书
    NVD2955 数据手册Datasheet
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    NVD2955 数据手册Datasheet
    8 Pages, 141 KB
    2016/10/25
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    最小包装
    2500
    产品概述
    • This Power MOSFET is designed to withstand high energy in the avalanche and commutation modes. Designed for low−voltage, high−speed switching applications in power supplies, converters, and power motor controls. These devices are particularly well suited for bridge circuits where diode speed and commutating safe operating areas are critical and offer an additional safety margin against unexpected voltage transients.
    • Features
    • • Avalanche Energy Specified
    • • IDSS and VDS(on) Specified at Elevated Temperature
    • • Designed for Low−Voltage, High−Speed Switching Applications and to Withstand High Energy in the Avalanche and Commutation Modes
    • • NVD Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
    •   Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101
    •   Qualified and PPAP Capable
    • • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

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