Name: NTZD3155CT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: CM1559853
Price: 1.65 USD
Availability: InStock

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NTZD3155CT1G ON Semiconductor

制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
NTZD3155CT1G
百芯编号#:
CM1559853
价格(CNY):
￥

1.65
百芯库存:
1,800 个
库存地点: 香港
可供应量:
1,057 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
Small Signal MOSFET 20V 540mA 400mOhm Complementary SOT-563 with ESD Protection, SOT-563, 6 LEAD, 4000-REEL
文档:
数据手册
3D模型

NTZD3155CT1G 购买 NTZD3155CT1G 库存和价格更新于 2025-05-31 03:50:22

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器件型号: NTZD3155CT1G

百芯编号: CM1559853

制造商: ON Semiconductor

封装: SOT-563-6

价格
￥

1.65

总计: 2,857 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

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类型

描述

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制造商

ON Semiconductor

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-563-6

额定电流

540 mA

额定功率

0.25 W

通道数

2 Channel

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.4 Ω

极性

N-Channel, P-Channel

耗散功率

250 mW

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

栅源击穿电压

±6.00 V

连续漏极电流(Ids)

540 mA

输入电容(Ciss)

150pF @16V(Vds)

额定功率(Max)

250 mW

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

280 mW

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NTZD3155CT1G 产品封装文件

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NTZD3155CT1G 产品修订记录

2 Pages, 302 KB

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NTZD3155CT1G 其他参考文件

1 Pages, 163 KB

2011/06/15

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

1.7 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NTZD3155CT1G 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

NTZD3155CT1G 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

NTZD3155CT1G 数据手册 >

产品概述

The NTZD3155CT1G is a N/P-channel complementary Small Signal MOSFET designed for cell phones, MP3s, digital cameras and PDAs. It is suitable for DC-to-DC conversion circuits, load/power switching with level shift, single or dual cell Li-Ion battery operated systems and high speed circuit applications.
Leading Trench technology for low RDS (ON) performance
High efficiency system performance
Low threshold voltage
ESD protected gate
Small footprint

NTZD3155CT1G 数据手册 >

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