NSS12100XV6T1G双极性,晶体管,BJT,双极型安森美_参数 - 百芯智造

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NSS12100XV6T1G

显示的图像仅供参考，应从产品数据表中获得准确的规格。

NSS12100XV6T1G ON Semiconductor

制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
NSS12100XV6T1G
百芯编号#:
CM9048663
价格(CNY):
￥

2.01
百芯库存:
95 个
库存地点:
可供应量:
66 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
双极性,晶体管,BJT,双极型
产品描述:
SOT-563 PNP 12V 1A
文档:
数据手册
3D模型

NSS12100XV6T1G 购买 NSS12100XV6T1G 库存和价格更新于 2025-06-14 03:50:22

器件型号: NSS12100XV6T1G

百芯编号: CM9048663

制造商: ON Semiconductor

封装: SOT-563-6

价格
￥

2.01

总计: 161 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/19 (预期 )

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NSS12100XV6T1G 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

ON Semiconductor

类别

双极性,晶体管,BJT,双极型

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-563-6

无卤素状态

Halogen Free

针脚数

6 Position

极性

PNP

耗散功率

500 mW

输入电容

50 pF

增益频宽积

100 MHz

击穿电压(集电极-发射极)

12 V

集电极最大允许电流

1A

最小电流放大倍数(hFE)

100 @500mA, 2V

额定功率(Max)

500 mW

直流电流增益(hFE)

200

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

500 mW

显示相似产品

NSS12100XV6T1G 数据规格书

NSS12100XV6T1G 数据手册Datasheet

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NSS12100XV6T1G 数据手册Datasheet

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NSS12100XV6T1G 其它数据手册Datasheet

16 Pages, 165 KB

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NSS12100XV6T1G 其它数据手册Datasheet

11 Pages, 172 KB

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NSS12100XV6T1G 其它数据手册Datasheet

6 Pages, 101 KB

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NSS12100XV6T1G 其它数据手册Datasheet

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NSS12100XV6T1G 其它数据手册Datasheet

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2017/10/27

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NSS12100XV6T1G 其它数据手册Datasheet

2 Pages, 302 KB

2017/08/15

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NSS12100XV6T1G 产品修订记录

2 Pages, 302 KB

2017/08/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

1.7 mm

宽度

1.3 mm

高度

0.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

NSS12100XV6T1G 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

NSS12100XV6T1G 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

NSS12100XV6T1G 数据手册 >

产品概述

The NSS12100XV6T1G is a 1A PNP bipolar Transistor designed for use in low voltage, high speed switching applications where affordable efficient energy control is important. It is miniature surface-mount device featuring ultra-low saturation voltage VCE(sat) and high current gain capability.

NSS12100XV6T1G 数据手册 >

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