Name: MJ21193G
Brand: ON Semiconductor
SKU: CM12818827
Price: 152.32 USD
Availability: InStock

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MJ21193G ON Semiconductor

制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
MJ21193G
百芯编号#:
CM12818827
价格(CNY): ￥ 152.32
百芯库存:
296 个
库存地点:
可供应量:
180 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
双极性,晶体管,BJT,双极型
产品描述:
TO-3 PNP 250V 16A
文档:
数据手册
符合 RoHS 标准 3D模型

MJ21193G 购买 MJ21193G 库存和价格更新于 2024-04-26 03:50:22

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器件型号: MJ21193G

百芯编号: CM12818827

制造商: ON Semiconductor

价格 ￥152.32

总计: 476 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/05/01 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

ON Semiconductor

类别

双极性,晶体管,BJT,双极型

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-204-2

频率

4 MHz

额定电压(DC)

-250 V

额定电流

-16.0 A

针脚数

3 Position

极性

PNP, P-Channel

耗散功率

250 W

击穿电压(集电极-发射极)

250 V

热阻

0.7℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流

16A

最小电流放大倍数(hFE)

25 @8A, 5V

最大电流放大倍数(hFE)

额定功率(Max)

250 W

直流电流增益(hFE)

工作温度(Max)

200 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

250000 mW

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MJ21193G 数据规格书

MJ21193G 数据手册Datasheet

6 Pages, 70 KB

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MJ21193G 其它数据手册Datasheet

7 Pages, 173 KB

2013/09/04

查看

MJ21193G 产品设计图

1 Pages, 33 KB

2015/10/15

查看

MJ21193G 应用笔记

7 Pages, 126 KB

2016/02/04

查看

MJ21193G 其他参考文件

1 Pages, 140 KB

2011/06/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

39.37 mm

宽度

26.67 mm

高度

8.51 mm

材质

Silicon

工作温度

-65℃ ~ 200℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tray

MJ21193G 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2014/12/17

MJ21193G 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

MJ21193G 数据手册 >

产品概述

The MJ21193G is a -250V Silicon PNP Bipolar Power Transistor that utilizes perforated emitter technology and is specifically designed for high power audio output, disk head positioners and linear applications.
Total harmonic distortion characterized
High DC current gain
Excellent gain linearity
High SOA

MJ21193G 数据手册 >

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