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LMV358IDGKR 库存 & 价格

LMV358IDGKR
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LMV358IDGKR TI
TI
  • 制造商:
    TI
  • 制造商型号#:
    LMV358IDGKR
  • 百芯编号#:
    CM1830633
  • 价格(CNY): ¥ 7.18
  • 百芯库存:
    1,708
  • 可供应量:
    1,008 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    运算,放大器
  • 产品描述:
    TEXAS INSTRUMENTS LMV358IDGKR Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1MHz, 1V/µs, 2.7V to 5.5V, MSOP, 8Pins
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
LMV358IDGKR 购买 LMV358IDGKR 库存和价格更新于 2024-05-07 03:50:22
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    器件型号: LMV358IDGKR
    百芯编号: CM1830633
    制造商: TI
    价格 ¥7.18
    总计: 2,716
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/12 (预期 )
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    LMV358IDGKR 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    TI
    类别
    运算,放大器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    VSSOP-8
    供电电流
    210 µA
    电路数
    2 Circuit
    通道数
    2 Channel
    针脚数
    8 Position
    共模抑制比
    50 dB
    输入补偿漂移
    5.00 µV/K
    带宽
    1 MHz
    转换速率
    1.00 V/μs
    增益频宽积
    1 MHz
    输入补偿电压
    1.7 mV
    输入偏置电流
    15 nA
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    增益带宽
    1 MHz
    共模抑制比(Min)
    50 dB
    电源电压
    2.7V ~ 5.5V
    显示相似产品
    LMV358IDGKR 数据规格书
    LMV358IDGKR 数据手册Datasheet
    50 Pages, 2258 KB
    2015/11/17
    查看
    LMV358IDGKR 产品设计参考
    2 Pages, 1100 KB
    2013/01/16
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    3 mm
    宽度
    3 mm
    高度
    0.97 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 125℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    产品概述
    • The LMV358IDGKR is a dual low-voltage rail-to-rail output Operational Amplifier designed specifically for low-voltage operation with performance specifications meeting or exceeding the LM358 op-amp that operates from 5 to 30V.
    • No crossover distortion
    • Rail-to-rail output swing
    • ESD protection exceeds JESD 22
    • Green product and no Sb/Br
    • This device has limited built-in ESD protection, leads should be shorted together or the device placed in conductive foam during storage or handling to prevent electrostatic damage to the MOS gates.

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      - XRF检查
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    关联型号: LMV358 数据手册

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    SN:H11.2111LO1660V44Q0QC0S0
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