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L6384E 库存 & 价格

L6384E
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L6384E ST Microelectronics
ST Microelectronics
  • 制造商:
    ST Microelectronics
  • 制造商型号#:
    L6384E
  • 百芯编号#:
    CM36339438
  • 价格(CNY): ¥ 7.73
  • 百芯库存:
    1,598
  • 可供应量:
    931 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    FET,驱动器
  • 产品描述:
    MOSFET DRVR 600V 0.65A 2Out Hi/Lo Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8Pin PDIP Tube
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
L6384E 购买 L6384E 库存和价格更新于 2024-05-07 03:50:22
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    器件型号: L6384E
    百芯编号: CM36339438
    制造商: ST Microelectronics
    价格 ¥7.73
    总计: 2,529
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/12 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    ST Microelectronics
    类别
    FET,驱动器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    8 Pin
    封装
    DIP-8
    频率
    0.4 MHz
    上升/下降时间
    50ns, 30ns
    输出接口数
    2 Output
    输出电压
    580 V
    耗散功率
    750 mW
    上升时间
    50 ns
    输出电流(Max)
    0.65 A
    下降时间
    30 ns
    下降时间(Max)
    30 ns
    上升时间(Max)
    50 ns
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -45 ℃
    耗散功率(Max)
    750 mW
    电源电压
    8V ~ 16.6V
    电源电压(Max)
    16.6 V
    电源电压(Min)
    14.6 V
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    L6384E 产品描述及参数
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    10.92 mm
    宽度
    6.6 mm
    高度
    3.32 mm
    工作温度
    -45℃ ~ 125℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • Description
    • The L6384E is an high-voltage device, manufactured with the BCD"OFF-LINE" technology. It has an Half - Bridge Driver structure that enables to drive N-channel Power MOS or IGBT. The High Side (Floating) Section is enabled to work with voltage Rail up to 600V. The Logic Inputs are CMOS/TTL compatible for ease of interfacing with controlling devices. Matched delays between Low and High Side Section simplify high frequency operation. Dead time setting can be readily accomplished by means of an external resistor.
    • Features
    • ■ High voltage rail up to 600V
    • ■ dV/dt immunity ±50V/nsec in full temperature range
    • ■ Driver current capability:
    • – 400mA source,
    • – 650mA sink
    • ■ Switching times 50/30 nsec rise/fall with 1nF load
    • ■ CMOS/TTL Schmitt trigger inputs with hysteresis and pull down
    • ■ Shut down input
    • ■ Dead time setting
    • ■ Under voltage lock out
    • ■ Integrated bootstrap diode
    • ■ Clamping on VCC
    • ■ SO-8/DIP-8 packages

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    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
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    SN:H2.9242LO57722V18Q0QC0S0
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