Name: IXFN64N50P
Brand: IXYS Semiconductor
SKU: CM35403106
Price: 192.26 USD
Availability: InStock

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IXFN64N50P IXYS Semiconductor

库存紧缺

制造商:
IXYS Semiconductor
制造商型号#:
IXFN64N50P
百芯编号#:
CM35403106
价格(CNY):
￥

192.26
百芯库存:
29 个
库存地点: 香港
可供应量:
29 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
SOT-227B N-CH 500V 50A
文档:
数据手册
3D模型

IXFN64N50P 购买 IXFN64N50P 库存和价格更新于 2025-06-11 03:50:22

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器件型号: IXFN64N50P

百芯编号: CM35403106

制造商: IXYS Semiconductor

封装: SOT-227-4

价格
￥

192.26

总计: 58 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/16 (预期 )

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类型

描述

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制造商

IXYS Semiconductor

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Screw

引脚数

4 Pin

封装

SOT-227-4

额定电压(DC)

500 V

额定电流

64.0 A

针脚数

4 Position

漏源极电阻

0.085 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

700 W

阈值电压

5.5 V

输入电容

8.70 nF

栅电荷

150 nC

漏源极电压(Vds)

500 V

漏源击穿电压

500 V

连续漏极电流(Ids)

61.0 A

输入电容(Ciss)

8700pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

700 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

700W (Tc)

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IXFN64N50P 数据规格书

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IXFN64N50P 其它数据手册Datasheet

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2003/04/02

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

38.23 mm

宽度

25.42 mm

高度

9.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

IXFN64N50P 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

IXFN64N50P 数据手册 >

产品概述

The IXFN64N50P is a single N-channel Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low gate drive requirement and high power density. It is suitable for DC-to-DC converters, laser drivers, switched-mode and resonant-mode power supplies.
International standard packages
MiniBLOC with aluminium nitride isolation
Fast intrinsic diode
Avalanche rating
Low static drain-to-source ON-resistance
2500V Isolation voltage

IXFN64N50P 数据手册 >

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