Name: IXFH75N10
Brand: IXYS Semiconductor
SKU: CM41211329
Price: 73.06 USD
Availability: InStock

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IXFH75N10 IXYS Semiconductor

制造商:
IXYS Semiconductor
制造商型号#:
IXFH75N10
百芯编号#:
CM41211329
价格(CNY):
￥

73.06
百芯库存:
4,998 个
库存地点:
可供应量:
3,616 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TO-247AD N-CH 100V 75A
文档:
数据手册
3D模型

IXFH75N10 购买 IXFH75N10 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: IXFH75N10

百芯编号: CM41211329

制造商: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

价格
￥

73.06

总计: 8,614 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

IXYS Semiconductor

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定电压(DC)

100 V

额定电流

75.0 A

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.02 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

300 W

阈值电压

4 V

输入电容

4.50 nF

栅电荷

260 nC

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

75.0 A

上升时间

60 ns

输入电容(Ciss)

4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

300 W

下降时间

60 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IXFH75N10 数据规格书

IXFH75N10 数据手册Datasheet

4 Pages, 95 KB

2000/09/25

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IXFH75N10 数据手册Datasheet

4 Pages, 102 KB

2012/03/28

查看

IXFH75N10 其它数据手册Datasheet

20 Pages, 2663 KB

2004/04/26

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Bulk

IXFH75N10 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

IXFH75N10 数据手册 >

产品概述

The IXFH75N10 is a single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features low static drain-to-source ON-resistance HDMOS™ process and high power density.
International standard packages
Rugged polysilicon gate cell structure
Unclamped inductive switching (UIS) rating
Low package inductance - Easy to drive and to protect
Easy to mount with 1 screw (isolated mounting screw hole)
Space saving
Low trr
High dV/dt rating

IXFH75N10 数据手册 >

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