Name: IXFH50N60P3
Brand: IXYS Semiconductor
SKU: CM41460625
Price: 97.79 USD
Availability: InStock

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IXFH50N60P3 IXYS Semiconductor

制造商:
IXYS Semiconductor
制造商型号#:
IXFH50N60P3
百芯编号#:
CM41460625
价格(CNY):
￥

97.79
百芯库存:
1,116 个
库存地点:
可供应量:
481 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TO-247AD N-CH 600V 50A
文档:
数据手册
3D模型

IXFH50N60P3 购买 IXFH50N60P3 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

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器件型号: IXFH50N60P3

百芯编号: CM41460625

制造商: IXYS Semiconductor

封装: TO-247-3

价格
￥

97.79

总计: 1,597 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

IXYS Semiconductor

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.16 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

1.04 W

阈值电压

5 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

50A

上升时间

20 ns

输入电容(Ciss)

6300pF @25V(Vds)

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1040W (Tc)

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IXFH50N60P3 数据规格书

IXFH50N60P3 数据手册Datasheet

6 Pages, 146 KB

2016/02/14

查看

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2014/04/09

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IXFH50N60P3 其它数据手册Datasheet

5 Pages, 146 KB

2012/01/18

查看

IXFH50N60P3 其它数据手册Datasheet

5 Pages, 147 KB

2012/01/18

查看

IXFH50N60P3 其它数据手册Datasheet

2 Pages, 469 KB

2012/12/24

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

16.26 mm

宽度

5.3 mm

高度

21.46 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

IXFH50N60P3 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/06/15

IXFH50N60P3 数据手册 >

产品概述

The IXFH50N60P3 is a 600V N-channel Enhancement Mode Polar3™ Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™) and low RDS (on). The IXYS most popular power MOSFET (HiPerFET™) is for both hard switching and resonant mode applications. This MOSFET offers low gate charge and excellent ruggedness with a fast intrinsic diode.
Avalanche rated
Low inductance
High power density
Easy to mount
Space-saving s

IXFH50N60P3 数据手册 >

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