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MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
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VISHAY
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IRF840PBF 库存 & 价格
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
IRF840PBF
VISHAY
制造商:
VISHAY
制造商型号#:
IRF840PBF
百芯编号#:
CM144704
价格(CNY):
¥ 5.92
百芯库存:
799
个
库存地点:
可供应量:
372
个在库
此为供应商库存,需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TO-220-3 N-CH 500V 8A 850mΩ
文档:
数据手册
符合 RoHS 标准
3D模型
IRF840PBF 购买
IRF840PBF 库存和价格更新于
2024-05-07 03:50:22
刷新
器件型号:
IRF840PBF
百芯编号:
CM144704
制造商:
VISHAY
价格
$ USD
¥ CNY
€ EUR
₽ RUB
£ GBP
C$ CAD
₣ CHF
$ HKD
RS INR
¥ JPY
₩ KRW
$ TWD
¥5.92
总计:
1,171
个
MOQ:
1
库存地点:
香港
发货日期:
2024/05/12
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欺诈预防提醒
近日,我们发现不法分子冒充百芯智造进行诈骗或试图低价销售假冒和故障元器件。
百芯智造在2021年建立了一个
元器件检测实验室
,旨在提供有质量保证的组件。
我们强烈建议客户选择可靠的元器件供应商。
请注意,唯一电子邮件后缀是
aipcba.com
IRF840PBF 规格
显示相似产品 (99+)
类型
描述
选择
制造商
VISHAY
类别
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
3D模型
3D模型
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
额定电压(DC)
500 V
额定电流
8.00 A
额定功率
125 W
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.85 Ω
极性
N-Channel
耗散功率
125 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
500 V
漏源击穿电压
500 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
8.00 A
上升时间
23 ns
输入电容(Ciss)
1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
125 W
下降时间
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工作温度(Max)
150 ℃
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尺寸 & 包装
类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
最小包装
50
IRF840PBF 数据手册 >
符合标准
类型
描述
RoHS标准
RoHS Compliant
含铅标准
Lead Free
REACH SVHC标准
No SVHC
IRF840PBF 数据手册 >
出口分类
类型
描述
香港进出口证
NLR
IRF840PBF 数据手册 >
产品概述
The IRF840PBF is a 500V N-channel Power MOSFET, third generation power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low on-resistance.
IRF840PBF 数据手册 >
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- 由百芯智造仓库仔细检查和包装 - 真空包装 - 防静电包装 - 防震泡沫
- 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。 - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等 - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿 - 开盖检查 - X-Ray检查 - XRF检查 - 电气测试 - 外观检测
- 不合格和假冒检测 - 故障分析 - 电气测试 - 生命周期和可靠性测试 -百芯2021年成立元器件检测实验室
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