Name: IRF1010EPBF
Brand: International Rectifier
SKU: CM13379704
Price: 9.34 USD
Availability: InStock

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IRF1010EPBF International Rectifier

制造商:
International Rectifier
制造商型号#:
IRF1010EPBF
百芯编号#:
CM13379704
价格(CNY):
￥

9.34
百芯库存:
4,724 个
库存地点: 香港
可供应量:
3,385 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 60V; RDS(ON) 12 Milliohms; ID 84A; TO-220AB; PD 200W; gFS 69S
文档:
数据手册
3D模型

IRF1010EPBF 购买 IRF1010EPBF 库存和价格更新于 2025-06-11 03:50:22

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器件型号: IRF1010EPBF

百芯编号: CM13379704

制造商: International Rectifier

封装: TO-220-3

价格
￥

9.34

总计: 8,109 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/16 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

International Rectifier

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

84.0 A

针脚数

3 Position

漏源极电阻

12 mΩ

极性

N-Channel

耗散功率

200 W

产品系列

IRF1010E

阈值电压

4 V

输入电容

3210pF @25V

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

84.0 A

上升时间

78.0 ns

输入电容(Ciss)

3210pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

200 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

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IRF1010EPBF 数据规格书

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IRF1010EPBF 其它数据手册Datasheet

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IRF1010EPBF 产品修订记录

2 Pages, 36 KB

2012/09/28

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

10.67 mm

高度

16.51 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

IRF1010EPBF 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2014/12/17

IRF1010EPBF 数据手册 >

产品概述

**N-Channel Power MOSFET 80A to 99A, Infineon**
Infineon"s range of diskrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

IRF1010EPBF 数据手册 >

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