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IR2106SPBF 库存 & 价格

IR2106SPBF
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IR2106SPBF Infineon
Infineon
  • 制造商:
    Infineon
  • 制造商型号#:
    IR2106SPBF
  • 百芯编号#:
    CM1576161
  • 价格(CNY): ¥ 27.66
  • 百芯库存:
    261
  • 可供应量:
    190 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    FET,驱动器
  • 产品描述:
    600V High and Low Side Driver IC with typical 0.2A source and 0.35A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP, 14 Lead SOIC, and 14 Lead PDIP.
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
IR2106SPBF 购买 IR2106SPBF 库存和价格更新于 2024-05-31 03:50:22
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    器件型号: IR2106SPBF
    百芯编号: CM1576161
    制造商: Infineon
    价格 ¥27.66
    总计: 451
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/06/05 (预期 )
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    IR2106SPBF 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    Infineon
    类别
    FET,驱动器
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    SOIC-8
    电源电压(DC)
    10.0V (min)
    工作电压
    10V ~ 20V
    上升/下降时间
    150ns, 50ns
    输出接口数
    2 Output
    输出电压
    620 V
    输出电流
    200 mA
    通道数
    2 Channel
    针脚数
    8 Position
    耗散功率
    625 mW
    上升时间
    220ns (Max)
    下降时间
    80ns (Max)
    下降时间(Max)
    80 ns
    上升时间(Max)
    220 ns
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    耗散功率(Max)
    625 mW
    电源电压
    10V ~ 20V
    电源电压(Max)
    20 V
    电源电压(Min)
    10 V
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    IR2106SPBF 数据手册Datasheet
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    IR2106SPBF 产品修订记录
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    5 mm
    宽度
    4 mm
    高度
    1.5 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The IR2106SPBF is a high voltage high speed power MOSFET and IGBT high and low-side Driver with independent high and low-side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTTL output, down to 3.3V logic. The output driver features a high pulse current buffer stage designed for minimum driver cross-conduction. The floating channel can be used to drive an N-channel power MOSFET or IGBT in the high-side configuration which operates up to 600V.
    • Floating channel designed for bootstrap operation
    • Tolerant to negative transient voltage (dV/dt immune)
    • Under-voltage lockout for both channels
    • 3.3, 5 and 15V Logic input compatible
    • Matched propagation delay for both channels
    • Logic and power ground ±5V offset
    • Lower di/dt gate driver for better noise immunity
    • Outputs in phase with inputs

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
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    SN:H3.1484LO27171V16Q0QC0S0
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