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IPW60R060P7 库存 & 价格

IPW60R060P7
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IPW60R060P7 Infineon
Infineon
  • 制造商:
    Infineon
  • 制造商型号#:
    IPW60R060P7
  • 百芯编号#:
    CM22263436
  • 价格(CNY): ¥ 57.30
  • 百芯库存:
    226
  • 可供应量:
    163 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品描述:
    The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
IPW60R060P7 购买 IPW60R060P7 库存和价格更新于 2024-05-09 03:50:22
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    器件型号: IPW60R060P7
    百芯编号: CM22263436
    制造商: Infineon
    价格 ¥57.30
    总计: 389
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/14 (预期 )
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    Infineon
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    3D模型
     3D模型
    封装
    TO-247
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    IPW60R060P7 数据规格书
    IPW60R060P7 数据手册Datasheet
    14 Pages, 1420 KB
    2017/05/18
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    IPW60R060P7 产品设计参考
    270 Pages, 11877 KB
    2017/11/08
    查看
    IPW60R060P7 其它数据手册Datasheet
    37 Pages, 2966 KB
    查看
    IPW60R060P7 应用笔记
    37 Pages, 2068 KB
    2017/01/09
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃
    产品生命周期
    Active
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    出口分类
    类型
    描述
    香港进出口证
    NLR
    产品概述
    • Description:
    • The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
    • Summary of Features:
    • **Efficiency**
    • 600V P7 enables excellent FOM R DS(on)xE oss andR DS(on)xQ G
    • **Ease-of-use**
    • Integrated ESD diode from 180mN and above R DS(on)s
    • Integrated gate resistor R G
    • Rugged body diode
    • Wide portfolio in through hole and surface mount packages
    • Both standard grade and industrial grade parts are available
    • Benefits:
    • **Efficiency**
    • Excellent FOMs R DS(on)xQ G/R DS(on)xE oss enable higher efficiency
    • **Ease-of-use**
    • Ease-of-use in manufacturing environments by stopping ESD failures occurring
    • Integrated R G reduces MOSFET oscillation sensitivity
    • MOSFET is suitable for both hard and resonant switching topologies such as PFC and LLC
    • Excellent ruggedness during hard commutation of the body diode seen in LLC topology
    • Suitable for a wide variety of end applications and output powers
    • Parts available suitable for consumer and industrial applications

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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
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