IPP120N20NFDAKSA1MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET英飞凌_参数 - 百芯智造

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IPP120N20NFDAKSA1

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IPP120N20NFDAKSA1 Infineon

制造商:
Infineon
制造商型号#:
IPP120N20NFDAKSA1
百芯编号#:
CM12238139
价格(CNY):
￥

79.81
百芯库存:
1,080 个
库存地点:
可供应量:
435 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TO-220 N-CH 200V 84A
文档:
数据手册
3D模型

IPP120N20NFDAKSA1 购买 IPP120N20NFDAKSA1 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22

器件型号: IPP120N20NFDAKSA1

百芯编号: CM12238139

制造商: Infineon

封装: TO-220-3

价格
￥

79.81

总计: 1,515 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/11 (预期 )

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IPP120N20NFDAKSA1 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

Infineon

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

额定功率

300 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0106 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

300 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

200 V

连续漏极电流(Ids)

84A

上升时间

10 ns

输入电容(Ciss)

5000pF @100V(Vds)

下降时间

8 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

300W (Tc)

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IPP120N20NFDAKSA1 数据规格书

IPP120N20NFDAKSA1 数据手册Datasheet

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IPP120N20NFDAKSA1 数据手册Datasheet

42 Pages, 6181 KB

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IPP120N20NFDAKSA1 数据手册Datasheet

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IPP120N20NFDAKSA1 产品设计参考

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30 Pages, 664 KB

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6 Pages, 4070 KB

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4 Pages, 450 KB

2016/04/11

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2 Pages, 253 KB

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IPP120N20NFDAKSA1 应用笔记

37 Pages, 2068 KB

2017/01/09

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IPP120N20NFDAKSA1 应用笔记

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IPP120N20NFDAKSA1 应用笔记

12 Pages, 701 KB

2014/03/07

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尺寸 & 包装

类型

描述

长度

10.36 mm

宽度

4.57 mm

高度

9.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

IPP120N20NFDAKSA1 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

Compliant with Exemption

含铅标准

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产品概述

The IPP120N20NFD is a N-channel Power MOSFET with improved hard commutation ruggedness. This new OptiMOS™ fast diode (FD), Infineon"s latest generation of power MOSFET is optimized for body diode hard commutation. It is the perfect choice for hard switching applications.
Industry"s lowest RDS (ON), Qg and Qrr
Halogen-free, Green device
Highest system reliability
Highest efficiency and power density
Easy-to-design products
Normal level
Qualified according to JEDEC for target application

IPP120N20NFDAKSA1 数据手册 >

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