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HMC373LP3E 库存 & 价格

ADI RF Amp Single LNA 1GHz 8V 16Pin QFN EP T/R
234.56
HMC373LP3E
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HMC373LP3E ADI
ADI
  • 制造商:
    ADI
  • 制造商型号#:
    HMC373LP3E
  • 百芯编号#:
    CM1525193
  • 价格(CNY):
    234.56
  • 百芯库存:
    1,772
  • 可供应量:
    1,065 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品描述:
    RF Amp Single LNA 1GHz 8V 16Pin QFN EP T/R
  • 文档: 3D模型
HMC373LP3E 购买 HMC373LP3E 库存和价格更新于 2025-06-14 03:50:22
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    器件型号: HMC373LP3E
    百芯编号: CM1525193
    制造商: ADI
    封装: QFN-16
    价格
    234.56
    总计: 2,837
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/19 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    ADI
    安装方式
    Surface Mount
    3D模型
     3D模型
    引脚数
    16 Pin
    封装
    QFN-16
    频率
    700MHz ~ 1GHz
    供电电流
    90 mA
    通道数
    1 Channel
    耗散功率
    878 mW
    增益
    14 dB
    工作温度(Max)
    85 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    耗散功率(Max)
    878 mW
    电源电压
    5 V
    显示相似产品
    HMC373LP3E 数据规格书
    HMC373LP3E 其它数据手册Datasheet
    16 Pages, 805 KB
    2016/07/21
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    HMC373LP3E 其它数据手册Datasheet
    10 Pages, 636 KB
    2010/06/25
    查看
    HMC373LP3E 其它数据手册Datasheet
    3 Pages, 51 KB
    2019/08/29
    查看
    HMC373LP3E 应用笔记
    9 Pages, 190 KB
    2012/05/16
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    HMC373LP3E 应用笔记
    6 Pages, 436 KB
    2010/02/08
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    HMC373LP3E 应用笔记
    4 Pages, 434 KB
    2012/11/30
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    高度
    0.95 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 85℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Contains Lead
    产品概述
    • Product Details
    • The HMC373LP3(E) is a versatile, high dynamic range GaAs MMIC Low Noise Amplifier that integrates a low loss LNA bypass mode on the IC. The amplifier is ideal for GSM & CDMA cellular basestation front-end receivers operating between 700 and 1000 MHz and provides 0.9 dB noise figure, 14 dB of gain and +35 dBm IP3 from a single supply of +5V @ 90 mA.
    • Input and output return losses are 28 and 12 dB respectively with the LNA requiring minimal external components to optimize the RF input match, RF ground and DC bias. By presenting an open or short circuit to a single control line, the LNA can be switched into a low 2 dB loss bypass mode reducing the current consumption to 10 μA. For applications which require improved noise figure, please see the HMC668LP3(E).
    • Applications
    • GSM, GPRS & EDGE
    • CDMA & W-CDMA
    • Private Land Mobile Radio
    • ### Features and Benefits
    • Noise Figure: 0.9 dB
    • Output IP3: +35 dBm
    • Gain: 14 dB
    • Low Loss LNA Bypass Path
    • Single Supply: +5V @ 90 mA
    • 50 Ohm Matched Output

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    SN:H2.85355LO0V11Q0QC0S0
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