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电子元器件采购
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MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
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ON Semiconductor
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FQPF4N90C 库存 & 价格
FQPF4N90C
ON Semiconductor
Power MOSFET, N Channel, 4A, 900V, 3.5Ω, 10V, 5V
¥
10.56
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
FQPF4N90C
ON Semiconductor
制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
FQPF4N90C
百芯编号#:
CM1690645
价格(CNY):
¥
10.56
百芯库存:
68
个
库存地点:
可供应量:
48
个在库
此为供应商库存,需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
Power MOSFET, N Channel, 4A, 900V, 3.5Ω, 10V, 5V
文档:
数据手册
3D模型
FQPF4N90C 购买
FQPF4N90C 库存和价格更新于
2025-06-12 03:50:22
刷新
器件型号:
FQPF4N90C
百芯编号:
CM1690645
制造商:
ON Semiconductor
封装:
TO-220-3
价格
$ USD
¥ CNY
€ EUR
₽ RUB
£ GBP
C$ CAD
₣ CHF
$ HKD
RS INR
¥ JPY
₩ KRW
$ TWD
¥
10.56
总计:
116
个
MOQ:
1
库存地点:
香港
发货日期:
2025/06/17
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近日,我们发现不法分子冒充百芯智造进行诈骗或试图低价销售假冒和故障元器件。
百芯智造在2021年建立了一个
元器件检测实验室
,旨在提供有质量保证的组件。
我们强烈建议客户选择可靠的元器件供应商。
请注意,唯一电子邮件后缀是
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FQPF4N90C 规格
显示相似产品 (99+)
类型
描述
选择
制造商
ON Semiconductor
类别
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
3D模型
3D模型
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
3.5 Ω
耗散功率
47 W
阈值电压
5 V
输入电容
960 pF
漏源极电压(Vds)
900 V
上升时间
50 ns
输入电容(Ciss)
740pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
47 W
下降时间
35 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
47000 mW
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FQPF4N90C 数据规格书
FQPF4N90C 数据手册Datasheet
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FQPF4N90C 其它数据手册Datasheet
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FQPF4N90C 其它数据手册Datasheet
2 Pages, 15 KB
2007/06/27
查看
FQPF4N90C 产品修订记录
3 Pages, 281 KB
2012/08/08
查看
尺寸 & 包装
类型
描述
长度
10.16 mm
宽度
4.7 mm
高度
9.19 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
FQPF4N90C 数据手册 >
符合标准
类型
描述
RoHS标准
Compliant with Exemption
含铅标准
Lead Free
FQPF4N90C 数据手册 >
产品概述
N-Channel 900V 4A (Tc) 47W (Tc) Through Hole TO-220F
FQPF4N90C 数据手册 >
查看全部
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- 由百芯智造仓库仔细检查和包装 - 真空包装 - 防静电包装 - 防震泡沫
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- 不合格和假冒检测 - 故障分析 - 电气测试 - 生命周期和可靠性测试 -百芯2021年成立元器件检测实验室
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