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FDS6994S 库存 & 价格

FDS6994S
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
FDS6994S Fairchild
Fairchild
  • 制造商:
    Fairchild
  • 制造商型号#:
    FDS6994S
  • 百芯编号#:
    CM65347457
  • 价格(CNY): ¥ 5.50
  • 百芯库存:
    261
  • 可供应量:
    167 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    Trans MOSFET N-CH 30V 6.9A/8.2A 8Pin SOIC N T/R
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
FDS6994S 购买 FDS6994S 库存和价格更新于 2024-05-12 03:50:22
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    器件型号: FDS6994S
    百芯编号: CM65347457
    制造商: Fairchild
    价格 ¥5.50
    总计: 428
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/17 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Fairchild
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    SOIC-8
    额定电压(DC)
    30.0 V
    额定电流
    8.20 A
    漏源极电阻
    15.0 mΩ
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    2 W
    输入电容
    2.81 nF
    栅电荷
    25.0 nC
    漏源极电压(Vds)
    30 V
    漏源击穿电压
    30.0 V
    栅源击穿电压
    ±16.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    6.90 A, 8.20 A
    上升时间
    8.00 ns
    输入电容(Ciss)
    800pF @15V(Vds)
    额定功率(Max)
    900 mW
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    2000 mW
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    FDS6994S 数据规格书
    FDS6994S 数据手册Datasheet
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    FDS6994S 其它数据手册Datasheet
    17 Pages, 400 KB
    2017/05/19
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    FDS6994S 产品目录
    9 Pages, 224 KB
    2000/03/08
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    5 mm
    宽度
    4 mm
    高度
    1.5 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • General Description
    • The FDS6994S is designed to replace two single SO-8 MOSFETs and Schottky diode in synchronous DC:DC power supplies that provide various peripheral voltages for notebook computers and other battery powered electronic devices. FDS6994S contains two unique 30V, N-channel, logic level, PowerTrench MOSFETs designed to maximize power conversion efficiency.
    • Features
    • • Q2: Optimized to minimize conduction losses
    •         Includes SyncFET Schottky body diode
    •   8.2A, 30V RDS(on) = 15 mΩ @ VGS = 10V
    •                RDS(on) = 17.5 mΩ @ VGS = 4.5V
    • • Q1: Optimized for low switching losses
    •         Low gate charge (85.5 nC typical)
    •   6.9A, 30V RDS(on) = 21 mΩ @ VGS = 10V
    •                RDS(on) = 26 mΩ @ VGS = 4.5V

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      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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