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FDS6982AS 库存 & 价格

Fairchild Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8Pin SOIC N T/R
3.30
FDS6982AS
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FDS6982AS Fairchild
Fairchild
  • 制造商:
    Fairchild
  • 制造商型号#:
    FDS6982AS
  • 百芯编号#:
    CM10818764
  • 价格(CNY):
    3.30
  • 百芯库存:
    1,366
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    714 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    Trans MOSFET N-CH 30V 6.3A/8.6A 8Pin SOIC N T/R
  • 文档: 3D模型
FDS6982AS 购买 FDS6982AS 库存和价格更新于 2025-06-11 03:50:22
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    器件型号: FDS6982AS
    百芯编号: CM10818764
    制造商: Fairchild
    封装: SOIC-8
    价格
    3.30
    总计: 2,080
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/16 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    Fairchild
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    8 Pin
    封装
    SOIC-8
    额定电压(DC)
    30.0 V
    额定电流
    8.60 A
    针脚数
    8 Position
    漏源极电阻
    0.011 Ω
    极性
    Dual N-Channel
    耗散功率
    2 W
    阈值电压
    1.9 V
    输入电容
    1.25 nF
    栅电荷
    21.0 nC
    漏源极电压(Vds)
    30 V
    漏源击穿电压
    30.0 V
    栅源击穿电压
    ±20.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    6.30 A, 8.60 A
    上升时间
    7 ns
    输入电容(Ciss)
    610pF @10V(Vds)
    额定功率(Max)
    900 mW
    下降时间
    3 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    2000 mW
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    FDS6982AS 其他参考文件
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    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    5 mm
    宽度
    3.99 mm
    高度
    1.5 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The FDS6982AS is a 30V dual notebook power supply N-channel PowerTrench® SyncFET has been specially tailored to minimize the on-state resistance and to maintain low gate charge for superior switching performance. Fairchild"s the latest medium voltage power MOSFET is optimized power switches combining small gate charge (QG), small reverse recovery charge (Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes fast switching for synchronous rectification in AC/DC power supplies. It employs shielded-gate structure that provides charge balance. The high-side switch (Q1) is designed with specific emphasis on reducing switching losses while the low side switch (Q2) is optimized to reduce conduction losses. Q2 also includes an integrated Schottky diode using Fairchild"s monolithic SyncFET technology. This product is general usage and suitable for many different applications.
    • Includes SyncFET Schottky body diode
    • High performance trench technology for extremely low RDS (on)
    • High power and current handling capability

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      - 外观检测
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      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    关联型号: FDS6982 数据手册

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    SN:H3.72213LO0V11Q0QC0S1
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