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FDN360P 库存 & 价格

FDN360P
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
FDN360P Fairchild
Fairchild
  • 制造商:
    Fairchild
  • 制造商型号#:
    FDN360P
  • 百芯编号#:
    CM6743763
  • 价格(CNY): ¥ 0.79
  • 百芯库存:
    1,593
  • 可供应量:
    920 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    Fsc Fdn360p Trans Mosfet p-Ch 30V 2A 3Pin Superso t Fetmosfet Sot23
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
FDN360P 购买 FDN360P 库存和价格更新于 2024-05-07 03:50:22
  • 刷新
    器件型号: FDN360P
    百芯编号: CM6743763
    制造商: Fairchild
    价格 ¥0.79
    总计: 2,513
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/12 (预期 )
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    我们强烈建议客户选择可靠的元器件供应商。
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    Fairchild
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Surface Mount
    引脚数
    3 Pin
    封装
    SOT-23-3
    额定电压(DC)
    -30.0 V
    额定电流
    -2.00 A
    额定功率
    500 mW
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    0.08 Ω
    极性
    P-Channel
    耗散功率
    500 mW
    阈值电压
    20 V
    输入电容
    298 pF
    栅电荷
    6.20 nC
    漏源极电压(Vds)
    30 V
    漏源击穿电压
    -30.0 V
    栅源击穿电压
    ±20.0 V
    连续漏极电流(Ids)
    2.00 A
    上升时间
    13 ns
    输入电容(Ciss)
    298pF @15V(Vds)
    额定功率(Max)
    460 mW
    下降时间
    13 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    0.5 W
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    FDN360P 数据规格书
    FDN360P 数据手册Datasheet
    5 Pages, 123 KB
    2003/05/15
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    FDN360P 其它数据手册Datasheet
    8 Pages, 95 KB
    2008/04/23
    查看
    FDN360P 产品设计图
    1 Pages, 45 KB
    2015/05/06
    查看
    FDN360P 产品目录
    8 Pages, 234 KB
    1999/03/24
    查看
    FDN360P 其他参考文件
    1 Pages, 162 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    2.92 mm
    宽度
    1.4 mm
    高度
    0.94 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Unknown
    包装方式
    Tape & Reel (TR)
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The FDN360P from Fairchild is a surface mount, single P channel PowerTrench MOSFET in superSOT-23 package. PowerTrench process has been tailored to minimize the onstate resistance and maintain low gate charge for superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications.
    • High performance trench technology for extremely low Rds(ON)
    • Low gate charge typically 6.2nC
    • Drain to source voltage (Vds) of -30V
    • Gate to source voltage of ±20V
    • Continuous drain current (Id) of -2A at 25°C
    • Power dissipation (Pd) of 500mW
    • Low on state resistance of 100mohm at Vgs -4.5V
    • Operating temperature range -55°C to 150°C

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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      - 防静电包装
      - 防震泡沫
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      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
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      - 电气测试
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    SN:H4.4864LO2455V480Q0QC0S0
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