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FDA50N50 库存 & 价格

Fairchild Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube
￥ 38.49
FDA50N50
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FDA50N50 Fairchild
Fairchild
  • 制造商:
    Fairchild
  • 制造商型号#:
    FDA50N50
  • 百芯编号#:
    CM7346662
  • 价格(CNY):
    ￥
    38.49
  • 百芯库存:
    1,531 个
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    847 个在库
    此为供应商库存，需要与销售确认
  • 产品类别:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 产品描述:
    Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3Pin(3+Tab) TO-3P Tube
  • 文档:
    数据手册
    3D模型
FDA50N50 购买 FDA50N50 库存和价格更新于 2025-06-11 03:50:22
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    器件型号: FDA50N50
    百芯编号: CM7346662
    制造商: Fairchild
    封装: TO-3-3
    价格
    ￥
    38.49
    总计: 2,378 个
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/16 (预期 )
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    元器件库存查询

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    FDA50N50 规格 显示相似产品 (99+)
    类型
    描述
    选择
    制造商
    Fairchild
    类别
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-3-3
    额定电压(DC)
    500 V
    额定电流
    48.0 A
    额定功率
    625 W
    针脚数
    3 Position
    漏源极电阻
    0.089 Ω
    极性
    N-Channel
    耗散功率
    625 W
    阈值电压
    5 V
    输入电容
    4.98 nF
    栅电荷
    105 nC
    漏源极电压(Vds)
    500 V
    漏源击穿电压
    500 V
    连续漏极电流(Ids)
    48.0 A
    上升时间
    360 ns
    输入电容(Ciss)
    6460pF @25V(Vds)
    额定功率(Max)
    625 W
    下降时间
    230 ns
    工作温度(Max)
    150 ℃
    工作温度(Min)
    -55 ℃
    耗散功率(Max)
    625W (Tc)
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    FDA50N50 数据规格书
    FDA50N50 数据手册Datasheet
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    FDA50N50 数据手册Datasheet
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    2016/09/25
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    2016/10/23
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    FDA50N50 数据手册Datasheet
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    2015/04/06
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    FDA50N50 其它数据手册Datasheet
    12 Pages, 1245 KB
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    2013/11/23
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    FDA50N50 其它数据手册Datasheet
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    2017/08/17
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    2014/08/07
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    FDA50N50 产品设计图
    4 Pages, 643 KB
    2014/02/11
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    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    15.6 mm
    宽度
    4.8 mm
    高度
    19.9 mm
    工作温度
    -55℃ ~ 150℃ (TJ)
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Tube
    FDA50N50 数据手册 >
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/06/15
    FDA50N50 数据手册 >
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    FDA50N50 数据手册 >
    产品概述
    • The FDA50N50 is an UniFET™ N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s high voltage planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. It is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
    • Improved dV/dt capability
    • 105nC Typical low gate charge
    • 45pF Typical low Crss
    • 100% Avalanche tested
    FDA50N50 数据手册 >

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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    订购详情及相关信息
    订单 付款 运费 打包 质量保证 元器件检测实验室
    •  此处条款仅供参考，实际条款以销售报价为准。
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      - 装运前会进行检验 (PSI)。
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      - 您的订单发货后将发送跟踪号。
    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC)，800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库，恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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