Name: CSD17576Q5BT
Brand: TI
SKU: CM5303132
Price: 5.03 USD
Availability: InStock

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CSD17576Q5BT TI

制造商:
TI
制造商型号#:
CSD17576Q5BT
百芯编号#:
CM5303132
价格(CNY):
￥

5.03
百芯库存:
234 个
库存地点:
可供应量:
168 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
VSON-CLIP N-CH 30V 100A
文档:
数据手册
3D模型

CSD17576Q5BT 购买 CSD17576Q5BT 库存和价格更新于 2025-06-14 03:50:22

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器件型号: CSD17576Q5BT

百芯编号: CM5303132

制造商: TI

封装: VSON-Clip-8

价格
￥

5.03

总计: 402 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/19 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

VSON-Clip-8

通道数

1 Channel

漏源极电阻

2.4 mΩ

极性

N-CH

耗散功率

3.1 W

阈值电压

1.1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

漏源击穿电压

30 V

连续漏极电流(Ids)

100A

上升时间

16 ns

输入电容(Ciss)

3410pF @15V(Vds)

下降时间

3 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3.1 W

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CSD17576Q5BT 数据规格书

CSD17576Q5BT 数据手册Datasheet

15 Pages, 984 KB

2014/08/19

查看

CSD17576Q5BT 数据手册Datasheet

13 Pages, 473 KB

查看

CSD17576Q5BT 数据手册Datasheet

13 Pages, 439 KB

2016/01/15

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

6.1 mm

宽度

5 mm

高度

1.05 mm

材质

Silicon

工作温度

-55℃ ~ 150℃

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

CSD17576Q5BT 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Contains Lead

CSD17576Q5BT 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

CSD17576Q5BT 数据手册 >

产品概述

This CSD17576Q5BT power MOSFET from Texas Instruments can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 3100 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. This device is made with nexfet technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

CSD17576Q5BT 数据手册 >

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