Name: BSZ160N10NS3GATMA1
Brand: Infineon
SKU: CM9997840
Price: 7.02 USD
Availability: InStock

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BSZ160N10NS3GATMA1 Infineon

制造商:
Infineon
制造商型号#:
BSZ160N10NS3GATMA1
百芯编号#:
CM9997840
价格(CNY): ￥ 7.02
百芯库存:
277 个
库存地点:
可供应量:
172 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
TSDSON N-CH 100V 8A
文档:
数据手册
3D模型

BSZ160N10NS3GATMA1 购买 BSZ160N10NS3GATMA1 库存和价格更新于 2024-05-31 03:50:22

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器件型号: BSZ160N10NS3GATMA1

百芯编号: CM9997840

制造商: Infineon

价格 ￥7.02

总计: 449 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2024/06/05 (预期 )

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BSZ160N10NS3GATMA1 规格显示相似产品 (99+)

类型

描述

选择

制造商

Infineon

类别

MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET

3D模型

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

PG-TSDSON-8

额定功率

63 W

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.014 Ω

极性

N-Channel

耗散功率

63 W

阈值电压

2.8 V

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

上升时间

10 ns

输入电容(Ciss)

1300pF @50V(Vds)

下降时间

5 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

2.1W (Ta), 63W (Tc)

显示相似产品

BSZ160N10NS3GATMA1 数据规格书

BSZ160N10NS3GATMA1 数据手册Datasheet

10 Pages, 490 KB

2015/10/05

查看

BSZ160N10NS3GATMA1 产品设计参考

270 Pages, 11877 KB

2017/11/08

查看

BSZ160N10NS3GATMA1 其它数据手册Datasheet

30 Pages, 664 KB

查看

BSZ160N10NS3GATMA1 应用笔记

37 Pages, 2068 KB

2017/01/09

查看

BSZ160N10NS3GATMA1 产品修订记录

7 Pages, 73 KB

2014/07/09

查看

尺寸 & 包装

类型

描述

长度

3.4 mm

宽度

3.4 mm

高度

1.1 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

BSZ160N10NS3GATMA1 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

Compliant with Exemption

含铅标准

Lead Free

REACH SVHC标准

No SVHC

REACH SVHC版本

2015/12/17

BSZ160N10NS3GATMA1 数据手册 >

产品概述

The BSZ160N10NS3 G is a 100V N-channel Power MOSFET that offers superior solutions for high efficiency and high power-density SMPS. Compared to other transistors, this MOSFET achieves a reduction of 30% in both RDS (on) and FOM (Figure of Merit). The OptiMOS™ MOSFET offers industry"s lowest RDS (on) within the voltage classes. It is ideally suited for high frequency switching applications and optimized technology for DC-DC converters.
Excellent switching performance
Environmentally-friendly
Increased efficiency
Highest power density
Less paralleling required
Smallest board-space consumption
Easy to design

BSZ160N10NS3GATMA1 数据手册 >

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