Name: APT30GP60BDQ1G
Brand: Microsemi
SKU: CM64398846
Price: 69.09 USD
Availability: InStock

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APT30GP60BDQ1G Microsemi

制造商:
Microsemi
制造商型号#:
APT30GP60BDQ1G
百芯编号#:
CM64398846
价格(CNY):
￥

69.09
百芯库存:
54 个
库存地点:
可供应量:
52 个在库

此为供应商库存，需要与销售确认
产品类别:
IGBT,晶体管,绝缘栅双极型
产品描述:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 100A 463000mW 3Pin(3+Tab) TO-247
文档:
数据手册
3D模型

APT30GP60BDQ1G 购买 APT30GP60BDQ1G 库存和价格更新于 2025-06-14 03:50:22

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器件型号: APT30GP60BDQ1G

百芯编号: CM64398846

制造商: Microsemi

封装: TO-247-3

价格
￥

69.09

总计: 106 个

MOQ: 1

库存地点: 香港

发货日期: 2025/06/19 (预期 )

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类型

描述

选择

制造商

Microsemi

类别

IGBT,晶体管,绝缘栅双极型

3D模型

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

额定电压(DC)

600 V

额定电流

30 A

耗散功率

463000 mW

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

额定功率(Max)

463 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

463000 mW

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APT30GP60BDQ1G 数据规格书

APT30GP60BDQ1G 数据手册Datasheet

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APT30GP60BDQ1G 数据手册Datasheet

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APT30GP60BDQ1G 其它数据手册Datasheet

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APT30GP60BDQ1G 其它数据手册Datasheet

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APT30GP60BDQ1G 其他参考文件

1 Pages, 139 KB

2011/06/15

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尺寸 & 包装

类型

描述

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

APT30GP60BDQ1G 数据手册 >

符合标准

类型

描述

RoHS标准

RoHS Compliant

含铅标准

Lead Free

APT30GP60BDQ1G 数据手册 >

出口分类

类型

描述

ECCN代码

EAR99

APT30GP60BDQ1G 数据手册 >

产品概述

Minimize the current at your gate with the APT30GP60BDQ1G IGBT transistor from Microsemi. Its maximum power dissipation is 463000 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 600 V. It is made in a single configuration. This IGBT transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.

APT30GP60BDQ1G 数据手册 >

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