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电子元器件采购
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MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
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ON Semiconductor
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2N7002LT1 库存 & 价格
显示的图像仅供参考,应从产品数据表中获得准确的规格。
2N7002LT1
ON Semiconductor
制造商:
ON Semiconductor
制造商型号#:
2N7002LT1
百芯编号#:
CM49999896
价格(CNY):
¥ 4.63
百芯库存:
1,923
个
库存地点:
可供应量:
1,177
个在库
此为供应商库存,需要与销售确认
产品类别:
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
产品描述:
Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3Pin SOT-23 T/R
文档:
数据手册
3D模型
2N7002LT1 购买
2N7002LT1 库存和价格更新于
2024-05-31 03:50:22
刷新
器件型号:
2N7002LT1
百芯编号:
CM49999896
制造商:
ON Semiconductor
价格
$ USD
¥ CNY
€ EUR
₽ RUB
£ GBP
C$ CAD
₣ CHF
$ HKD
RS INR
¥ JPY
₩ KRW
$ TWD
¥4.63
总计:
3,100
个
MOQ:
1
库存地点:
香港
发货日期:
2024/06/05
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欺诈预防提醒
近日,我们发现不法分子冒充百芯智造进行诈骗或试图低价销售假冒和故障元器件。
百芯智造在2021年建立了一个
元器件检测实验室
,旨在提供有质量保证的组件。
我们强烈建议客户选择可靠的元器件供应商。
请注意,唯一电子邮件后缀是
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2N7002LT1 规格
显示相似产品 (99+)
类型
描述
选择
制造商
ON Semiconductor
类别
MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
3D模型
3D模型
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
封装
SOT-23-3
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
115 mA
漏源极电阻
7.50 Ω
极性
N-Channel
耗散功率
0.3 W
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
115 mA
输入电容(Ciss)
50pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
225 mW
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
225mW (Ta)
显示相似产品
2N7002LT1 数据规格书
2N7002LT1 数据手册Datasheet
4 Pages, 72 KB
2007/10/05
查看
2N7002LT1 其它数据手册Datasheet
11 Pages, 220 KB
2010/11/11
查看
尺寸 & 包装
类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期
Unknown
包装方式
Cut Tape (CT)
2N7002LT1 数据手册 >
符合标准
类型
描述
RoHS标准
Non-Compliant
含铅标准
Contains Lead
2N7002LT1 数据手册 >
出口分类
类型
描述
ECCN代码
EAR99
2N7002LT1 数据手册 >
产品概述
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Features 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Pb−Free Packages are Available
2N7002LT1 数据手册 >
查看全部
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- 由百芯智造仓库仔细检查和包装 - 真空包装 - 防静电包装 - 防震泡沫
- 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。 - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等 - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿 - 开盖检查 - X-Ray检查 - XRF检查 - 电气测试 - 外观检测
- 不合格和假冒检测 - 故障分析 - 电气测试 - 生命周期和可靠性测试 -百芯2021年成立元器件检测实验室
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