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2N6509G 库存 & 价格

2N6509G
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2N6509G ON Semiconductor
ON Semiconductor
  • 制造商:
    ON Semiconductor
  • 制造商型号#:
    2N6509G
  • 百芯编号#:
    CM27302196
  • 价格(CNY): ¥ 7.73
  • 百芯库存:
    1,857
  • 可供应量:
    1,126 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    可控硅,SCR
  • 产品描述:
    Diode; SCR; Vr 800V; If 25A; Pkg TO-220AB; Vf 1.8V; Tj +125℃; Cs 250A; Rth(JC) 1.5deg
  • 文档: 符合 RoHS 标准 3D模型
2N6509G 购买 2N6509G 库存和价格更新于 2024-05-07 03:50:22
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    器件型号: 2N6509G
    百芯编号: CM27302196
    制造商: ON Semiconductor
    价格 ¥7.73
    总计: 2,983
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2024/05/12 (预期 )
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    类型
    描述
    选择
    制造商
    ON Semiconductor
    类别
    可控硅,SCR
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    3 Pin
    封装
    TO-220-3
    触点数
    3 Contact
    额定电压(DC)
    800 V
    额定电流
    16.0 A
    正向电压
    1.8 V
    转换速率
    50.0 V/μs
    保持电流
    80 mA
    热阻
    1.5℃/W (RθJC)
    正向电流
    25 A
    保持电流(Max)
    40 mA
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -40 ℃
    工作结温
    -40℃ ~ 125℃
    工作结温(Max)
    125 ℃
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    2N6509G 数据规格书
    2N6509G 数据手册Datasheet
    7 Pages, 81 KB
    2008/04/18
    查看
    2N6509G 其它数据手册Datasheet
    8 Pages, 83 KB
    查看
    2N6509G 产品设计图
    2 Pages, 31 KB
    2014/08/28
    查看
    2N6509G 其他参考文件
    1 Pages, 164 KB
    2011/06/15
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    10.28 mm
    宽度
    4.82 mm
    高度
    9.28 mm
    工作温度
    -40℃ ~ 125℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Bulk
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The 2N6509G is a Reverse Blocking Thyristor/Silicon Controlled Rectifier designed primarily for half‐wave AC control applications, such as motor controls, heating controls and power supply crowbar circuits. It has small, rugged, Thermopad construction for low thermal resistance, high heat dissipation and durability.
    • Glass passivated junctions with center gate fire for greater parameter uniformity and stability
    • Blocking voltage to 800V
    • 20W Forward peak gate power
    • 0.5W Average gate power
    • 2A Peak gate current
    • 1.5°C/W Thermal resistance, junction-to-case

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      - 防静电包装
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      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    关联型号: 2N6509 数据手册

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    SN:H2.936LO2255V32Q0QC0S5
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