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1N5820G 库存 & 价格

ON Semiconductor Diode Schottky 20V 3A 2Pin DO-201AD Bag
1.73
1N5820G
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1N5820G ON Semiconductor
库存紧缺
ON Semiconductor
  • 制造商:
    ON Semiconductor
  • 制造商型号#:
    1N5820G
  • 百芯编号#:
    CM7673993
  • 价格(CNY):
    1.73
  • 百芯库存:
    19
  • 库存地点: 香港
  • 可供应量:
    46 个在库
    此为供应商库存,需要与销售确认
  • 产品类别:
    肖特基,二极管
  • 产品描述:
    Diode Schottky 20V 3A 2Pin DO-201AD Bag
  • 文档: 3D模型
1N5820G 购买 1N5820G 库存和价格更新于 2025-06-06 03:50:22
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    器件型号: 1N5820G
    百芯编号: CM7673993
    制造商: ON Semiconductor
    封装: DO-201AD
    价格
    1.73
    总计: 65
    MOQ: 1
    库存地点: 香港
    发货日期: 2025/06/11 (预期 )
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    类型
    描述
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    制造商
    ON Semiconductor
    类别
    肖特基,二极管
    3D模型
     3D模型
    安装方式
    Through Hole
    引脚数
    2 Pin
    封装
    DO-201AD
    额定电压(DC)
    20.0 V
    额定电流
    3.00 A
    无卤素状态
    Halogen Free
    输出电流
    ≤3.00 A
    针脚数
    2 Position
    正向电压
    475mV @3A
    极性
    Standard
    热阻
    28℃/W (RθJA)
    正向电流
    3 A
    最大正向浪涌电流(Ifsm)
    80 A
    正向电压(Max)
    475 mV
    正向电流(Max)
    3 A
    工作温度(Max)
    125 ℃
    工作温度(Min)
    -65 ℃
    工作结温(Max)
    125 ℃
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    1N5820G 数据规格书
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    2007/12/12
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    2016/09/22
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    2016/05/12
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    1N5820G 其它数据手册Datasheet
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    2015/11/05
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    1N5820G 其它数据手册Datasheet
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    2014/11/17
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    1N5820G 产品设计图
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    1N5820G 产品设计图
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    2016/08/22
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    1N5820G 产品修订记录
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    2016/09/22
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    1N5820G 产品修订记录
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    2015/07/14
    查看
    尺寸 & 包装
    类型
    描述
    长度
    9.5 mm
    高度
    9.5 mm
    工作温度
    -65℃ ~ 125℃
    产品生命周期
    Active
    包装方式
    Bag
    符合标准
    类型
    描述
    RoHS标准
    RoHS Compliant
    含铅标准
    Lead Free
    REACH SVHC标准
    No SVHC
    REACH SVHC版本
    2015/12/17
    出口分类
    类型
    描述
    ECCN代码
    EAR99
    产品概述
    • The 1N5820G is an axial-leaded Schottky Barrier Rectifier with moulded epoxy case, all external surfaces corrosion-resistant and terminal leads are readily solderable finish. This series employs the Schottky barrier principle in a large area metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes and polarity protection diodes.
    • Extremely low forward voltage
    • Low power loss/high efficiency
    • Low stored charge and majority carrier conduction
    • 24V Non-repetitive peak reverse voltage
    • 14V RMS reverse voltage
    • 28°C/W Junction-to-ambient thermal resistance

    百芯智造认证

    百芯智造承诺产品质量和安全通过ISO 9001、ISO 13485、ISO 45001、UL、RoHS、CQC 和 REACH 认证
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    订购详情及相关信息
    •  此处条款仅供参考,实际条款以销售报价为准。
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      - 您的订单发货后将发送跟踪号。
    • - 由百芯智造仓库仔细检查和包装
      - 真空包装
      - 防静电包装
      - 防震泡沫
    • - 收入质量控制 (IQC),800多家合格经销商。
      - 500m² 高级元器件检测实验室、假冒检测、RoHS 合规性等
      - 2000㎡数码元器件仓库,恒温恒湿
      - 开盖检查
      - X-Ray检查
      - XRF检查
      - 电气测试
      - 外观检测
    • - 不合格和假冒检测
      - 故障分析
      - 电气测试
      - 生命周期和可靠性测试
      -百芯2021年成立元器件检测实验室
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    关联型号: 1N5820 数据手册

    电子元件供应服务

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