MJD45H11-1 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
描述：
Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin, IPAK-3
文档：

MJD45H11-1 应用笔记 (8 页) Hot

更新时间： 2023/11/25 04:50:06 (UTC+8)

MJD45H11-1 数据手册PDF (8 页)

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MJD45H11-1 文档

MJD45H11-1 应用笔记

Samsung

8 页, 91 KB

ON Semiconductor

DPAK PNP 80V 8A

ON Semiconductor

DPAK PNP 80V 8A

ON Semiconductor

DPAK PNP 80V 8A

ON Semiconductor

IPAK PNP 80V 8A

ST Microelectronics

Trans GP BJT PNP 80V 8A 20000mW 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

Fairchild

MJD Series PNP 1.75W 80V 8A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3

Fairchild

MJD Series PNP 1.75W 80V 8A SMT Epitaxial Silicon Transistor - TO-252-3

ON Semiconductor

Bipolar Transistors - BJT 8A 80V 20W PNP

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

ON Semiconductor

Trans GP BJT PNP 80V 8A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R

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