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MCR08BT1,115 数据手册 Datasheet - NXP

制造商：
NXP
分类：
可控硅,SCR
封装：
TO-261-4
描述：
NXP MCR08BT1,115 Thyristor, 200V, 200μA, 500mA, 800mA, SOT-223, 3Pins
文档：

MCR08BT1,115 数据手册 (14 页)

引脚定义在 2页 Hot

封装外形尺寸在 11页

型号规则信息在 2页

更新时间： 2024/05/29 05:46:14 (UTC+8)

MCR08BT1,115 数据手册PDF (14 页)

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MCR08BT1,115 文档

MCR08BT1,115 数据手册

NXP

14 页, 213 KB

MCR08BT1,115 其它数据手册

NXP

22 页, 332 KB

MCR08BT1,115 产品修订记录

NXP

72 页, 3718 KB

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MCR08
其它数据手册

UTC

MCR08BT1G
数据手册

Littelfuse

Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1Element, TO-261AA, ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4Pin

MCR08MT1G
数据手册

Littelfuse

Silicon Controlled Rectifier, 0.8A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1Element, TO-261AA, ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4Pin

MCR08BT1,115
数据手册

We En Semiconductor

Thyristor SCR 200V 9A 4Pin(3+Tab) SC-73 T/R

MCR08MT1
数据手册

ON Semiconductor

Thyristor SCR 600V 8A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

MCR08BT1
数据手册

ON Semiconductor

Thyristor SCR 200V 8A 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

MCR08MT1G
数据手册

ON Semiconductor

ON SEMICONDUCTOR MCR08MT1G Thyristor, 600V, 200A, 0.8A, 800mA, SOT-223, 4Pins

MCR08BT1G
数据手册

ON Semiconductor

ON SEMICONDUCTOR MCR08BT1G Thyristor, 200V, 200μA, 800mA, SOT-223, 4Pins

MCR08BT1.115
数据手册

We En Semiconductor

Thyristor; 200V; 500mA; 0.8A; 50uA; Package: reel, tape; SMD; SOT223

MCR08BT1
数据手册

NXP

NXP, MCR08BT1, Thyristor, 200V 0.5A, Gate Trigger 0.8V 200µA, 4Pin SOT-223

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