Datasheet
数据手册 > MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET > 国际整流器 > IRLR120NTRPBF 数据手册PDF
IRLR120NTRPBF
百芯智造的价格

IRLR120NTRPBF 数据手册 Datasheet - International Rectifier

  • 制造商:
    International Rectifier
  • 分类:
    MOS管,场效应管,晶体管,金属氧化物,FET
  • 封装:
    TO-252-3
  • 描述:
    MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.185Ω; ID 10A; D-Pak (TO-252AA); PD 48W
  • 文档:
更新时间: 2024/05/29 01:27:11 (UTC+8)
IRLR120NTRPBF 数据手册PDF (11 页)
点击页面查看数据手册详情

IRLR120NTRPBF 文档

IRLR120NTRPBF 数据手册
International Rectifier
11 页, 271 KB
IRLR120NTRPBF 其它数据手册
International Rectifier
11 页, 295 KB

IRLR120 数据手册PDF

IRLR120
数据手册
International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRLR120
数据手册
VISHAY
TO-252-3 N-CH 100V 7.7A 270mΩ
IRLR120
数据手册
Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRLR120
数据手册
Vishay Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 100V 7.7A 3Pin(2+Tab) DPAK
IRLR120
数据手册
Infineon
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 100V, 0.225ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3
IRLR120
数据手册
Vishay Intertechnology
Power Field-Effect Transistor, 7.7A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, DPAK-3
IRLR120
数据手册
Fairchild
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
IRLR120
数据手册
Samsung
Power Field-Effect Transistor, 7.9A I(D), 100V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
IRLR120NTRPBF
数据手册
Infineon
DPAK N-CH 100V 10A
IRLR120NPBF
数据手册
Infineon
DPAK N-CH 100V 10A
Datasheet 搜索
搜索
百芯智造数据库涵盖1亿多个元件的数据手册,每天更新超过5,000个PDF文件。
在线联系我们
黄经理 - 百芯智造销售经理在线,5 分钟前
您的邮箱 *
消息 *
发送