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IRL640 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
封装：
TO-220
描述：
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 200V, 0.22ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
文档：

IRL640 其它数据手册 (10 页) Hot

更新时间： 2024/05/31 03:47:05 (UTC+8)

IRL640 数据手册PDF (10 页)

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