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IRFR220 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
描述：
Power Field-Effect Transistor, 4.6A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
文档：

IRFR220 其它数据手册 (11 页) Hot

更新时间： 2024/05/29 10:34:03 (UTC+8)

IRFR220 数据手册PDF (11 页)

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IRFR220 数据规格书 1

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IRFR220 数据规格书 2

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IRFR220 数据规格书 6

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Samsung

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