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IRFR120 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
描述：
Power Field-Effect Transistor, 8.4A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DPAK-3
文档：

IRFR120 数据手册 (12 页) Hot

封装外形尺寸在 9页 10页

更新时间： 2024/05/29 04:23:59 (UTC+8)

IRFR120 数据手册PDF (12 页)

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IRFR120 数据规格书 1

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IRFR120 数据规格书 2

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IRFR120 数据规格书 3

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IRFR120 数据规格书 5

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IRFR120 数据规格书 6

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IRFR120 文档

IRFR120 数据手册

Samsung

12 页, 208 KB

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