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IRFP150 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
封装：
TO-3
描述：
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
文档：

IRFP150 数据手册 (7 页) Hot

更新时间： 2024/05/29 12:10:46 (UTC+8)

IRFP150 数据手册PDF (7 页)

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IRFP150 数据规格书 1

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IRFP150 数据规格书 2

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IRFP150 数据规格书 3

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IRFP150 数据规格书 4

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IRFP150 数据规格书 5

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IRFP150 数据规格书 6

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