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IRFP140 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
封装：
TO-3
描述：
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 100V, 0.077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
文档：

IRFP140 数据手册 (9 页) Hot

封装外形尺寸在 8页

更新时间： 2024/06/28 23:51:19 (UTC+8)

IRFP140 数据手册PDF (9 页)

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IRFP140 数据规格书 1

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IRFP140 数据规格书 2

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IRFP140 数据规格书 3

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IRFP140 数据规格书 4

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IRFP140 数据规格书 5

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IRFP140 数据规格书 6

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9 页, 164 KB

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10 页, 200 KB

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