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IRF610 数据手册 Datasheet - Samsung

制造商：
Samsung
封装：
SFM
描述：
Power Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 200V, 1.58ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
文档：

IRF610 其它数据手册 (8 页) Hot

更新时间： 2024/05/31 03:13:08 (UTC+8)

IRF610 数据手册PDF (8 页)

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IRF610 其它数据手册

Samsung

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